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華為將與整個(gè)產(chǎn)業(yè)一起努力，把一個(gè)美好的智能世界2030變成現(xiàn)實(shí)?！遍_關(guān)穩(wěn)壓器的EMI分為電磁輻射和傳導(dǎo)輻射(CE)。本文重點(diǎn)討論傳導(dǎo)輻射，其可進(jìn)一步分為兩類：
電銷專用卡大連共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。為什么要區(qū)分CM-DM？對(duì)CM噪聲有效的EMI抑制技術(shù)不一定對(duì)DM噪聲有效，反之亦然，因此，確定傳導(dǎo)輻射的來源可以節(jié)省花在抑制噪聲上的時(shí)間和金錢。本文介紹一種將CM輻射和DM輻射從LTC7818控制的開關(guān)穩(wěn)壓器中分離出來的實(shí)用方法。知道CM噪聲和DM噪聲在CE頻譜中出現(xiàn)的位置，電源設(shè)計(jì)人員便可有效應(yīng)用EMI抑制技術(shù)，這從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看可以節(jié)省設(shè)計(jì)時(shí)間和BOM成本。典型降壓轉(zhuǎn)換器的CM噪聲和DM噪聲路徑。DM噪聲在電源線和返回線之間產(chǎn)生，而CM噪聲是通過雜散電容CSTRAY在電源線和接地層（例如銅測(cè)試臺(tái)）之間產(chǎn)生。用于CE測(cè)量的LISN位于電源和降壓轉(zhuǎn)換器之間。LISN本身不能用于直接測(cè)量CM和DM噪聲，但它確實(shí)能測(cè)量電源和返回電源線噪聲——分別為圖1中的V1和V2。這些電壓是在50Ω電阻上測(cè)得的。根據(jù)CM和DM噪聲的定義，如圖1所示，V1和V2可以分別表示為CM電壓(VCM)和DM電壓(VDM)的和與差。因此，V1和V2的平均值就是VCM，而V1和V2之差的一半就是VDM。T型功率合成器是一種無源器件，可將兩個(gè)輸入信號(hào)合成為一個(gè)端口輸出。0°
